三星发售全球首款多芯片相变内存
2010-04-28小烈MCPLive.cn
三星电子日前高调宣布，将专为手机设备推出多芯片封装的PRAM(phase-change memory：相变内存)，预计512Mb版本的将在本季度末正式出货。
作为NOR闪存的继任者，PRAM存储采用了特殊的相变基础材质，除了写入周期明显提升外，在存储性能上比起NOR也快三倍。而且三星透露这款PRAM颗粒在软硬件上都和40nm级NOR闪存颗粒完全兼容，方便客户厂商在产品中加入该存储颗粒。
而且，三星在2009年9月份就开始制造PRAM，采用的是60nm工艺技术。
